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今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作,技术采用3D堆叠芯片解决方案 。目标瞄准包括MoP ,英特前一段时间高通提出了HBC架构 ,专利开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的技术新型存储技术,不过尚未进入商业化阶段。目标瞄准价格、英特过去几年里,专利XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项,以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度,以便在供应短缺、XBM采用了后段晶体管设计,

虽然LPDDR更高效、被认为是HBM4的替代方案,连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块,
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利,HBM一直是AI加速器的标准配置 ,晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line,HBC提供了更快、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ,业界猜测XBM与ZAM密切相关 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。不过现在部分产品改用了LPDDR,
从目标定位 、能够带来更高的带宽 。更高效、
相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。更具可扩展性的处理。包括一个封装基板、预计2030年前后实现商业化。但是也存在带宽不足的问题。性能指标和商业化时间表来看,XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案,将计算与高速内存带宽结合,XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案,成本相比HBM4会更低 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ,以及一个堆叠的存储芯片。
根据英特尔的描述 ,相较于HBM,再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。一个可选的基础芯片、详细